La RAM de cambio de fase de Samsung entrará en producción en masa a partir de junio. Estos chips representan una gran evolución de la RAM tradicional. Los chips PRAM pueden reescribir datos sin tener que borrar lo que ya está allí primero, lo que les permite funcionar hasta 30 veces más rápido y durar 10 veces más que la memoria flash tradicional.

La memoria de acceso aleatorio de cambio de fase (PRAM) utiliza un material que se vuelve cristalino cuando se calienta. Los bits cristalinos representan el "1" lógico en el sistema binario de las computadoras, mientras que las áreas amorfas (bits) representan el "0" lógico.
PRAM también es más escalable que cualquier otra arquitectura de memoria que se esté investigando y presenta la rápida velocidad de procesamiento de RAM para sus funciones operativas combinadas con las características no volátiles de la memoria flash para almacenamiento.

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